




含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。***显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,例如硅氧烷,,含Si的树脂等

光刻胶的概述
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过***后,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过***后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率(即光刻工艺中所能形成图形)不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。

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光刻胶市场空间与半导体的分不开。2012-2018年***半导体市场规模复合增速8.23%,在***半导体行业的快速发展下,***半导体光刻胶市场持续增长。
而国内市场,因***半导体、液晶面板以及消费电子等产业向国内转移,对光刻胶需求量迅速增量。
但是远远不够,从***光刻胶的市场竞争格局来看,光刻胶市场主要由日韩企业主导,国内企业市场份额集中在低端的PCB光刻胶上,高技术壁垒的LCD 和半导体光刻胶主要依赖进口。根据某些数据显示,国内光刻胶产值当中,PCB光刻胶的占比高达95%,半导体光刻胶和LCD光刻胶产值占比都仅有2%。
由上分析可知,我国目前在光刻胶领域急需技术突破的。