光电探测器
光电探测器是用来探测光的装置，大部分情况下是探测光功率。由于实际应用的要求变化多样，因此存在很多种适合不同用途的光电探测器： 光电二极管是具有p-n结或者p-i-n结构的半导体器件（i代表本征层）（参阅PIN型光电二极管），其中光在耗尽层被吸收产生光电流。这一装置尺寸非常小，采用合适的电子装置情况下，该器件具有响应快，响应高线性以及很高的量子效率（即单个入射光子几乎可以产生一个电子），动态范围大的特点。其中非常灵敏的一类为雪崩光电二极管，有时甚至可以用于光子计数。 金属-半导体-金属光电探测器包含两个肖特基接触。它比光电二极管响应更快，带宽为几百GHz。 光电晶体管与光电二极管类似，来使利用了光电流的内放大。它没有光电二极管常用。 光敏电阻器是利用了一些特定的半导体材料，例如，（CdS）。它的价格比光电二极管低，那时响应慢，并且不灵敏，具有强的非线性响应。 光电倍增管采用的是真空管。它同时具有很高的灵敏度（甚至可用于光子计数）和很高的响应速度。但是，它的价格很高，尺寸较大，并且需要很高的工作电压。 热释电探测器利用非线性晶体（例如，LiTaO3）在吸收涂层处吸收光脉冲受热后产生的热释电压脉冲。它们通常用于测量调Q激光器中产生的毫焦耳脉冲能量。 热学探测器（功率计）可以测量吸收光引起的温度升高。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图画出了几种常用半导体材料(如GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透深度的关系。这种探测器非常坚固，可以测量非常高的激光功率，但是灵敏度较低，中等的线性响应，相对较小的动态范围。 目前关于碳纳米管和石墨烯的光电探测器还在研发阶段，它有潜力可以提供很大的波长范围和很快的响应速度。将这一器件集成到光电芯片上的方法也在研究当中。
光电探测器原理
光电探测器，从其字面意思来看1，相信大家都能猜到，这种探测器能够将光信号转化为电信号。光电探测器的分类有好多种，根据器件工作原理的不同或者根据器件对辐射响应方式的不同，光电探测器一般分为两大类，一种是热探测器，还有一种是光子探测器。光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，它区别于光子探测器的特点是对光辐射的波长无选择性。光电探测设备与电子、雷达、声、磁等探测装备相辅相成，互为补充，各有特点，共同组成一个完整的战略、***侦察探测体系。
如何选择一个合适的光电探测器
光电探测器总的选择匹配原则是：
①光电探测器和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配;
②光电探测器的光电转换特性和入射辐射能量相匹配;
③光电探测器和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配;
④光电探测器和输入电路的电气特性相匹配。
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