而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与***均匀性、***（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。根据本发明的第四方面，所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30质量％至约40质量％。
在传统产业的应用领域中，对于***的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长，甚至出现行业的淘汰而与***无缘，例如照相用胶卷。科技的进步和发展，使传统产业发生剧烈的变迁，也使***的供求状况出现急剧的变化，这种变化也是导致了***的价格出现剧烈波动的因素之一。然而在传统产业不断的创新和转型中，***依然成为选择的关键性材料，用更***和更科学的工艺和手段，把***的独特性能发挥得更淋漓尽致。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al、Cu和Ag等已经被广泛的应用和研究。
烧结法： ITO靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料，加入粘结剂和分散剂混合后，压力成型，脱脂，然后于1400℃---1600℃烧结。烧结法设备投入少，成本低，产品密度高、缺氧率低，尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。***靶材，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。
ITO靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中，***需求量都很大。
金属靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。有金属类、合金类、氧化物类等等。
简单说的话，例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜......铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。
应用于显示屏的阻挡层或调色层，笔记本电脑的装饰层、电池的封装等.
