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方箱PECVD简介

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，进口化学气相沉积设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。

设备概述：

1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；

2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；

3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，进口化学气相沉积设备价格，采用分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到

（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；

6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；

7. 沉积工作真空：13-1300Pa；

8.气路设有匀气系统，进口化学气相沉积设备厂家，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。

11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。

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ICP刻蚀机简介

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一．系统概况

该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻

蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：

1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；

2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，

内腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；

停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；

7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；

8. 沉积工作真空：1-20Pa；

9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；

11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。

气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蚀速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻胶：≥1μm/min

13. 刻蚀不均匀性：

优于±5%（Φ4英寸范围内）

优于±6%（Φ6英寸范围内）

14. 选择比

CF4的选择比为50，

化学气相沉积的特点

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特点

1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。

2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。

）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。

4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。

5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。

6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以改善其结构。

8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。