等离子化学气相沉积设备-沈阳鹏程公司

化学气相沉积法在金属材料方面的使用

以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，今天我们来分享化学气相沉积的相关内容，希望对同行业的朋友有所帮助！

化学气相沉积法生产几种金属薄膜

金属薄膜因其有着较好的高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成金属薄膜的其他方式相比，等离子化学气相沉积设备多少钱，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备金属薄膜都会采用这种方式。沉积金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛，不过大多是金属元素的卤化物和有机化合物，比如COCl2、氯化碳酰铂、氯化碳酰铱、DCPD化合物等等。

Goto 团队在金属薄膜用作电极材料上做了大量的工作。他们所使用的衬底材料有蓝宝石、石英玻璃以及氧化钇稳定化的二氧化锆（YSZ）等等。在成沉积时往装置中通入氧气是为了消除掉原料因热分解产生的碳，并制备出更有金属光泽的金属薄膜，如若不然则得到的就是铱碳簇膜，也就是纳米等级被晶碳层所包裹的铱颗粒。沉积在YSZ 上面的铱碳簇膜有着较好的电性能和催化活性。在比较低的温度下，铱碳簇膜的界面电导率能达到纯铱或者纯铂的百倍以上。金属和炭组成的簇膜是一种输送多孔催化活性强的簇膜，在电极材料上的使用在未来将很有潜力。

化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：

化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。

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ICP刻蚀机简介

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一．系统概况

该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻

蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：

1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；

2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，

内腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，等离子化学气相沉积设备哪家好，采用FF160/600分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；

停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；

4.采用样品在下，等离子化学气相沉积设备报价，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；

7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；

8. 沉积工作真空：1-20Pa；

9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；

11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。

气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蚀速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻胶：≥1μm/min

13. 刻蚀不均匀性：

优于±5%（Φ4英寸范围内）

优于±6%（Φ6英寸范围内）

14. 选择比

CF4的选择比为50，