





此外,使用混入了导电性填充剂的电子导电性橡胶的导电辊,其电阻值与施加的电压有关,存在电阻值不固定的问题。特别是采用碳黑作为导电性填充剂时,这些倾向更明显。
由于使用了电子导电性橡胶的导电辊,不论是采用间歇式制法还是连续硫化处理法,都存在电阻值不均匀的问题,所以在数字化、彩色化等提高图像质量的技术日新月异的今天,希望用离子导电性橡胶替代电子导电性橡胶。
而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率,能够满足!靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均匀,从而影响了生产ITO薄膜的均匀性,且不能生产大尺寸的靶。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
超纯金属的制备有化学提纯法如精馏(特别是金属氯化物的精馏及氢还原)、升华、溶剂萃取等和物理提纯法如区熔提纯等(见硅、锗、铝、铟)。其中以区熔提纯或区熔提纯与其他方法相 结合有效。
由于容器与药剂中杂质的污染,使得到的金属纯度受到一定的限制,只有用化学方法将金属提纯到一定纯度之后,再用物理方法如区熔提纯,才能将金属纯度提到一个新的高度。可以用半导体材料锗及超纯金属铝为例说明典型的超纯金属制备及检测的原理(见区域熔炼)。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
***由于具有独特的物理化学性能,当代科学技术的飞速发展,***将会越来越多的应用于国民经济中的航空、航天、航海、火箭、原子能、微电子技术等高科技领域及石油化工、化学工业、汽车尾气净化等与人类生活息息相关的领域,并在众多的应用领域中起着关键的不可替代的作用,因此被誉为“首要高技术金属”、“现代工业的***”“现代新金属”,发达的***长期以来一直把***视为“战略性物质”。20世纪90年代以来,溅射靶材及溅射技术的同步发展,极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。