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6N60_mos管ASEMI供应厂商
FEATURE
6A，600V，R DS(ON) =1.2Ω@V GS =10V/3A
Low gate charge
Low C iss
Fast switching
***alanche tested
Improved dv/dt capability
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普通整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，8N65常用于开关电路，有阳极和阴极两个端子。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
型号：SSR1013L
品牌：ASEMI
封装：220AB
特性：整流
电性参数：50A 110V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：50A
芯片个数：
正向电压(VF)：
芯片尺寸：
浪涌电流If***：
漏电流(Ir)：
工作温度：-40~ 150
***时间(Trr)：10ns
引线数量：3
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8、输入阻抗高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。由于输入阻抗高，常用于开关电路，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率（灵敏度高）。一般的晶体三极管必需有基极电压Vb，再产生基极电流Ib，才能驱动集电极电流的产生。晶体三极管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。
9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，10N65常用于开关电路，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，8N80常用于开关电路，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三极管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S，这对于普通的大功率晶体三极管来说是难以想象的）。
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