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光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，四川负性光刻胶，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。

光刻胶组分及功能

光引发剂

光引发剂吸收光能（辐射能）后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，负性光刻胶供应商，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。

树脂

光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定***后光刻胶的基本性能，负性光刻胶生产厂家，包括硬度、柔韧性、附着力、***前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。

溶剂

溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。

单体

含有可聚合官能团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。

市场规模

中国半导体产业稳定增长，***半导体产业向中国转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年中国半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，负性光刻胶报价，大于***增长速度（1.1%）。2016年中国半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。近些年来，***半导体厂商在中国大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。