CMOS图像传感器ic的关键参数：ISO感光度（表示传统相机所使用的底片的感光度。当ISO数值越大时，感光度就越大）、分辨率（像素）、暗电流（在没有入射光时光点二极管所释放的电流量，一下被隔离的反向偏置的光电二极管即使在没有任何光照的条件下，也会产生放点现象）、噪声特性（主要由于数码相机本身采用的大量电子器件，在拍摄影像质量时很容易受到电子元器件的电磁溢波干扰，CMOS图像传感器上残留的能量以及运作环境温度的上升，就会产生自然噪声）、快门方式（主要分成卷帘式快门（Rolliong Shutter）和全局式快门（Global Shutter），卷帘式快门的优势在于没有采样保持单元，结构简单噪音低、全局式快门的优势在于拍摄运动物体不会失真）、动态范围（传感器非饱和信号上限与暗条件下噪声均方差之比）
一种新型的高灵敏度磁探测器
磁电阻/超导复合式磁传感器作为一种新型的高灵敏度磁探测器， 其探测精度目前已接近SQUID器件并已达到fT 量级。同时这类传感器又具有体积小、结构简单、工艺成熟、便于大规模生产等优势，使其在未来发展潜力巨大。就该复合式磁传感器而言，番禺区颜色传感器，进一步提升器件的探测精度是其未来研究发展的主要方向。
一方面，继续减小超导磁场放大器的狭窄区域宽度至1 μm以下，同时增大磁场放大器的有效面积都可以将磁场放大倍数继续提升至几千甚至上万倍，但是同时会对传感器的工作区间以及小型化造成影响。另一方面，使用灵敏度更高的磁电阻传感器件(TMR、巨磁阻抗器件(GMI)等[35])，将有望使得该复合式传感器的磁场探测精度达到1fT，甚至0.1 fT 的量级。
光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，颜色传感器的应用，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，颜色传感器检测rgb，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。
M8101.是一款专门应用于光电感应测控领域，针对PLC/单片机。工控设备等光电应用控制芯片。芯片表面封合了高敏光信号接收管。发射管通过新品托内部调制，能够的避免误动作及环境光干扰。针对光感元器件长久以来面对的长距离对射、漫反射镜面反射等复杂的场景，M8101都能做到处理。茂捷半导体工匠精神的支撑下面对数百万次的密集测试，在长距离对射、漫反射场景中M8101所表现的精度能超越国际厂商1.54代以上。并且M8101精简的外围器件设计。在此茂捷半导体沿用的超小封装QFN4*4的封装形式。使其能广泛的应用于各类及其苛刻的设计环境。
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