氧化锌（ZnO）晶体在1975℃同成分熔化，在较高的温度下非常不稳定，不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。目前，ZnO晶体基片哪家好，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。
生长氧化锌（ZnO）的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等，但所生长的氧化锌（ZnO）单晶的尺寸和质量都有待于提高.由于水热法生长氧化锌（ZnO）晶体时，需使用高浓度的碱溶液作矿化剂，因此有必要使用贵1金属衬套管以保护高压釜反应腔内壁，氧化锌ZnO晶体，以免遭受碱液的腐蚀。目前，生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体，安徽ZnO晶体，这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的***有效的方法。
氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，ZnO晶体基片，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
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