电池片组件回收层压三阶段
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电池片组件回收
（1）刚开始环节，层压机的溫度维持在较低溫度，EVA熔融，有优良的流通性，可是化学交联速率比较慢。进口真空泵对下室真***装，因此部件內部的汽体快速而且非常容易的被吸走。上室维持真空泵，部件没受工作压力。
（2）EVA干固环节。层压机溫度上升到1个较高溫度，EVA产生迅速的化学交联反映。下室继续保持真***装，立即排出来干固全过程造成的汽体。一起上室打气，上下左右室中间的工作压力差使层压机中的硫化橡胶层对部件施压。
（3）完毕环节。EVA干固进行。起先上室真***装，移去工作压力，随后下室打气，打开表盖。针对BIPV部件，两面全是夹层玻璃，而且为了实现工程建筑规定，片式玻璃的厚度乃至超过5mm。基本的绝缘层背膜-EVA-电池片-EVA-夹层玻璃5层封裝加工工艺，此环节压层出現的难题较多。封裝出現的汽泡，挪动等状况，依据EVA熔化干固基本原理，探求合适封裝的与众不同加工工艺。依据具体生产制造必须和必须品牌EVA的干固特点按给出方式提升压层主要参数。
电池片的检验
STF 印制：
A 级：
标识要有虚印、粗印现象（字母线宽度应小于 0.22mm ）但仍可辨识时作为 A 级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的 1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。
B 级：
标识要有虚印、粗印现象，字母线宽度应小于 0.22mm ，但仍可辨识时，如实心“ P ”，若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的
1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。
C 级：
若字母变形或无法辨识时直接降为 C 级。
新的标准与旧的相同
缺陷片：
1． 主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时，但仍有利用价值的片子。
2． 由于存储不当造成成电极氧化时，直接以报废片处理
3． 仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片，如果还有利用价值，则租铺位缺陷片处理
4． 完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。
5． 叠片仍有利用价值的作为缺陷片，如果全叠片则作为报废片处理。
电池片的制作工艺
影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
电池片各工序影响因素及异常情况
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.NaOH产生金字塔式绒面。NaOH浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受NaOH浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随NaOH浓度值转变比较显著，浓度值高的NaOH水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积更大。NaOH浓度值超出必须界线时，各向异性系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与IPA相近，线性度不高。
5.Na2SiO3SI和NaOH反映生产制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有缓冲剂的***，使反映不会很强烈,变的轻缓。Na2SiO3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿Na2SiO3多的那时候要立即的排出去，Na2SiO3传热性差，会危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法操纵。4酸洗钝化HCL除去硅片表层的金属材料残渣***具备酸和络合剂的双向***，***盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化HF除去硅片表层空气氧化层，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。
基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。操纵范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。
操纵范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。
