光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。LCD市场助力***LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
NR77-20000P
正胶PR1-2000A1技术资料
正胶PR1-2000A1是为***波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，如HMDS。
相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：
PEB，不需要后烘的步骤；
较高的分别率；
快速显影；
较强的线宽控制；
蚀刻后去胶效果好；
在室温下有效期长达2年。
NR9-250P
20．有没有光刻胶PC3-6000的资料吗？
A PC3-6000并不是光刻胶，它是用在chip
on glass 上的胶粘剂。
21．是否有Wax替代品？
A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。
22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？
A 有，IC1-200就是
23．请问是否有不用HMDS步骤的正性光刻胶？
A 美国Futurrex 整个系列的光刻胶都不需要HMDS步骤，都可以简化。
24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？
A 1 需要知道要涂在什么材质上，2
还有要知道需要做的膜厚，3
还要知道光刻胶的分辨率
4还有需要正胶还是负胶，5
需要国产还是进口的
27．想找一款膜厚在120um，的光刻胶，有什么光刻胶可以做到啊！
A 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到Futurrex
NR21-20000P ，。
28．有没有了解一款美国Futurrex
NR9-250P的光刻胶，请教下？
A 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力很好，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，Futurre
光刻胶是世界第4大的电子***制造商，在光刻胶的领域有着不错的声誉，在太阳能光伏，和LED半导体行业都有不错的市场占有率。
29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好推荐？
A 厚膜应用（thick
film applicati），主要是指高纵横比（Aspect
ratios）,高分辨率，高反差，有几款产品向你推荐一下《NR4-8000P，NR2-20000P，NR5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》
的光刻
?Futurrex
提供***化学技术的多样化解决方案
成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司
公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲
基于多样化的技术
应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷
解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程
客户：从财富100强到以风险***为背景的设备研发及制造公司
使命
目标
提供特殊***和全新工艺来增加客户的产能
策略
提供独特的产品来优化生产制程，以提高设备能效
领的技术提升生产过程中的整体性价比
工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能
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非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定
在生产过程中，不含***溶剂
支持所有客户的需要，与客户共创成功