氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高性1能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长***理想的衬底材料。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构,闪锌矿结构(与金刚石类似,可看成氧原子FCC排列,4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列,锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构,氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。
氧化锌（ZnO）晶体有三种结构∶六边纤锌矿结构、立方闪鋅矿结构,以及比较罕见的氯化钠式八面体结构。氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；热 容：0.125 cal /g.m；热电常数：1200 mv/k @ 300 ℃；热 导：0.006 cal/cm/k。
目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。氧化锌（ZnO）是重要的工业原料在塑料和橡胶添加剂丶传卮器丶发光显示器件等领域有广泛的应用。近几年人们发现氧化锌晶体在常温下存在柴外受激发射有可能实现固体案外和蓝光的激光发射,其独特的发光性能也引人们极大地关注。
