




光刻胶分类
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类,前者以柯达公司的KPR为代表,后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醒为感光化台物,以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高,缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。 的是COP胶,典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶,典型特性:灵敏度40~ 80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。
PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低,此外在高温下易流动,耐干法刻蚀性差。

光刻胶的概述
光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,固体光刻胶,受到光照的部分变得容易溶解,经过显影后被溶解,只留下未受光照的部分形成图形;而负胶却恰恰相反,经过曝光后,受到光照的部分会变得不易溶解,经过显影后,留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早,其工艺成本低、产量高,固体光刻胶报价,但由于它吸收显影液后会膨胀,导致其分辨率(即光刻工艺中所能形成图形)不如正胶,因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术,主要使用正胶作为光刻胶。

光刻胶的未来发展
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由于光刻胶的技术壁垒较高,国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。特别是高分辨率的KrF和ArF光刻胶,基本被日本和美国企业占据。
国内光刻胶生产商主要生产PCB光刻胶,面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。国内生产的光刻胶中,PCB光刻胶占比94%,LCD光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量,且差额逐年扩大。由于国内光刻胶起步晚,目前技术水平相对落后,生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品,TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少,仍需大量进口,从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。
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