铝酸镧（LaAlO3）晶体技术参数：晶向：lt;100gt;、lt;110gt;、lt;111gt;；晶体结构：赝立方；晶格常数：a=3.792A；生长方法：提拉法；熔点：2080℃ ；密度：6.52g/cm3；莫氏硬度：6.5 Mohs；热膨胀系数：10×10-6/℃；介电常数：25；损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K 。由于大尺寸 LaAlo3晶体生长后热应力和后期切割、研磨所产生的机械应力较大,加上晶棒的颜色较深。因此要消除上述因素,必须对晶体进行退火处理。
铝酸镧（LaAlO3）单晶是当前***重要的工业化、大尺寸高温超导薄膜基片单晶材料。它用提拉法生长，可以得到直径2英吋及更大的单晶和基片。铝酸镧（LaAlO3）具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基1金属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的***佳替代材料。
铝酸镧（LaAlO3）晶体介电常数和介电损耗随测量频率的变化，在1kHz~500MHz的频率范围内,测量温度为20°C,随频率的增加介电常数略有降低，介电损耗在整个测量频率范围内小于1ˇ10-3,说明铝酸镧（LaAlO3）晶体的高频性能较好。颜色及外观：依退火状况而不同，由棕***到褐色，抛光基片有自然孪晶畴；化学稳定性：室温下不溶于矿物酸，温度大于150℃时可溶于H3PO4。抛光情况：单抛或双抛 （lt;110gt; Ralt;15A，lt;100gt;和lt;111gt; Ralt;5A）。
