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铜钼铜复合材料具有良好的导电导热性及综合力学性能等优点,在高能电子器件、导罩等领域具有广阔的应用前景。然而目前铜钼铜复合材料中钼主要以颗粒状的形式存在,铜钼铜热沉片,限制了钼高强性能的发挥。本文采用造孔剂法结合液相熔渗的方法制备出三维连通网状结构铜钼铜复合材料(Mo/Cu IPCs)。
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铜钼铜生产工艺一般采用轧制复合,电镀复合,爆成形等方法加工制备的,这类材料在平面方向有很好的热导率和较低的膨胀系数,并且基本上不存在致密问题,此外,这种材料加工成本比较低,能够大大降低生产成本,还可加工成70um箔材,可以广泛的应用于PCB的芯层和引线框架材料。由于CMC理论热导率高、膨胀系数与Si相匹配。Cu/Mo/Cu电子封装材料具有优良的导热性能和可调节的热膨胀系数,是国内外大功率电子元器件的电子封装材料,并能与Be0、Al203陶瓷匹配,广泛用于微波、通讯、射频、航空航天、电力电子、大功率半导体激光器、等行业。
Cu/Mo/Cu电子封装材料具有优良的导热性能和可调节的热膨胀系数,是国内外大功率电子元器件的电子封装材料,并能与Be0、Al203陶瓷匹配,广泛用于微波、通讯、射频、航空航天、电力电子、大功率半导体激光器、等行业。热沉就是起到了这个作用。将芯片产生的热通过小热阻通路,传导到PCB上,或者散热器上。
铜/钼-铜/铜也是三明治结构,芯材为金属Mo70Cu合金,双面覆以纯铜。其厚度比例1:4:1,具有高强度,高热导率以及可冲制成型等特点。因此,它经常应用射频、微波和半导体大功率器件封装中。

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