弱磁探测技术的发展，归根结底依靠的是磁传感器技术的进步。近年来，随着各种物理效应在磁场测量中的应用，各种弱磁测量的方法已经逐渐趋于完善，而根据不同测量方法，各类磁传感器也应运而生。从霍尔效应磁传感器、磁通门磁传感器、磁电阻传感器到光泵磁强计和超导量子干涉器件(SQUID)，磁传感器技术不断的向前发展。这其中，为熟知的探测精度达到fT量级的弱磁传感器当属基于超导约瑟夫森效应的超导量子干涉器件。目前，颜色传感器，单独的SQUID 器件在低温下灵敏度可以达到0.2—2 pT，而通过加入耦合线圈磁通放大器，在4.2 K灵敏度可以达到10 fT 以下。然而，颜色传感器 识别速度快慢，对于低温超导SQUID 而言，需要昂贵的低温制冷设备(液氦、低温制冷机等)；高温超导SQUID由于超导材料的相干长度短，在约瑟夫森结的制备方面存在困难。这些因素都制约了SQUID的大规模应用。
伴随着科技进步和信息技术的发展，除了灵敏度之外，人们也对磁传感器的尺寸、稳定性、功耗、制备工艺的简单化等提出了越来越高的要求。其中基于磁电阻效应的传感器因其具备高灵敏度、功耗低、体积小、加工技术成熟等优点正在越来越大规模的使用。其中，基于巨磁电阻(GMR)及隧道磁电阻(TMR)效应制备的磁电阻传感器因其饱和磁场较低、单位磁场灵敏度高、温度特性稳定等优点，目前已被广泛用于生产应用中。特别是TMR磁传感器，拥有小型化、低成本、低功耗、高集成性、高相应频率和高灵敏度特性，使其成为未来竞争的制高点。
另一方面，作为高灵敏度传感器而言，GMR和TMR的固有噪声仍然较大，特别是在低频下，传感器存在明显的1/f 噪声。并且在探测精度方面相比于SQUID、光泵磁力仪等高灵敏度磁传感器仍然有较大差距，这也限制了其在生物磁性、等一些弱磁探测领域的应用。
传感器CCD和CMOS的主要参数
1. 像元尺寸
像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实践物理尺寸，通常的尺寸包括14um，10um， 9um ， 7um ， 6.45um ，颜色传感器rgb比例系数是多少，3.75um 等。像元尺寸从某种水平上反映了芯片的对光的响应才能，像元尺寸越大，可以接纳到的光子数量越多，在同样的光照条件和***时间内产生的电荷数量越多。关于弱光成像而言，像元尺寸是芯片灵活度的一种表征。
2. 灵活度
灵活度是芯片的重要参数之一，它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换才能，与响应率的意义相同。即芯片的灵活度指在一定光谱范围内，单位***量的输出信号电压（电流），单位能够为纳安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率（或照度），与探测率的意义相同，。单位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。
可以的，原装ic货的引脚非常整齐且像一条直线，颜色传感器的应用，而翻新处理过的则有的脚不整齐且有些歪。凡光亮如“新”的镀锡引脚必为翻新货，正货IC的引脚绝大多数应是所谓“银粉脚”，色泽较暗但成色均匀，表面不应有氧化痕迹或“助焊剂”，另外DIP等插件的引脚不应有擦花的痕迹，即使有（再次包装才会有）擦痕也应是整齐、同方向的且金属暴露处光洁无氧化。
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