
光电效应当电子从外界获得能量时将会跳到较高的能阶,获得的能量越多跳的能阶也越高,电子处在较高的能阶时并不稳定,很快就会把获得的能量释放回到原来的能阶。如果电子获得的能量够高就摆脱原子核的束缚成为自由电子,电子空出来的位置则称为空穴。自由电子可能会因为摩擦或碰撞等因素损失能量,后受到空穴的吸引而复合。1、多接面、多能隙、多能带结构,使用不同能隙的材料来吸收不同波长的光子。例如,硅的外层电子要成为自由电子需要吸收1.1ev的能量,当硅外层电子吸收到的光能量超过1.1ev时将会产生自由电子及空穴
3、光电三极度管光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的入射光线。入射光在基区激发出电子----空穴时,形成基极电流,而集电极电流是基极电流β倍,因此光照便能有效地控制集电极电流。光电三极管比光电二极管有更高的灵敏度。二、光伏打器件----硅光电池半导体PN结在受到光照射时能产生电动势的效应,叫光伏打效应。硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。1、发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。




















