氧化镁(MgO)一般情况下是白色粉末，但是氧化镁晶体，离子晶体，氧是典型的非金属，镁是典型的金属，所以形成的氧化镁是离子晶体。随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，单晶氧化镁的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧化镁单晶的尺寸一般要求在5 X 5 X 5mm-100 X 100 X IOOmm之间，甚至更大。氧化镁晶体属于氧化镁高1端产品中的高1级产品，科技含量高，附加值大。因此高质量氧化镁晶体产品的研制和生产，对开发我国特有的资源优势有着十分重要的意义。
单晶氧化镁是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁(MgO)单晶具有优良的耐高低温特性(_270°C 2800°C)、高纯度(彡99. 95%)、抗腐蚀、***的绝缘性、良好导热性、良好的透光性(光波长200-2000nm时透过率为85、9%，光波长2. 5-7 μ m时透过率大于92%)等优良特性。
氧化镁（MgO）是极1好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：lt;001gt;±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）；斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。
透明MgO单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异,具有广泛的用途。氧化镁单晶在许多高技术领域的研究和生产中有着独特的优势，其中，大尺寸氧化镁单晶体以及以此为基础做成的高温超导基片及双面膜为参与国际高科技竟争的关键产品。
