1. 像元尺寸
像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实践物理尺寸，通常的尺寸包括14um，10um， 9um ，颜色识别传感器， 7um ， 6.45um ，3.75um 等。像元尺寸从某种水平上反映了芯片的对光的响应才能，像元尺寸越大，可以接纳到的光子数量越多，在同样的光照条件和***时间内产生的电荷数量越多。关于弱光成像而言，像元尺寸是芯片灵活度的一种表征。
2. 灵活度
灵活度是芯片的重要参数之一，它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换才能，颜色传感器，与响应率的意义相同。即芯片的灵活度指在一定光谱范围内，单位***量的输出信号电压（电流），单位能够为纳安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率（或照度），与探测率的意义相同，。单位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。
3GMR/超导复合式磁传感器
磁电阻效应是对于一些磁性材料，当施加外磁场时，材料的电阻会发生变化的效应。这种磁电阻效应次由William Thomson 于1857 年在铁样品中发现。这一发现的材料磁阻变化率很小，只有1%，此效应即被称为各向异性磁电阻(AMR)效应。
1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通过分子束外延的方法制备了Fe/Cr 多层膜，单片机颜色传感器的控制电路，并在其中发现了磁阻变化率达到50%以上。这种巨大的磁电阻变化效应被称为巨磁电阻(GMR)效应。GMR效应来源于载流电子在不同的自旋状态下与磁场的作用不同导致的电阻变化。GMR由铁磁—非磁性金属—铁磁多层膜交叠组成。两层铁磁层的矫顽力不同。当铁磁层的磁矩互相平行时，载流子与自旋有关的散射，材料具有的电阻。而当铁磁层的磁矩为反平行时，载流子与自旋相关的散射强，材料的电阻。对于GMR效应可以由Mott 提出的双电流模型解释。在非磁性层中，不同自旋的电子能带相同，但是在铁磁金属中，不同自旋的能带发生劈裂，太阳能传感器颜色，导致在费米能级处，自旋向上和向下的电子态密度不同。
在双电流模型中，假设自旋向上和向下的电子沿层面流动对应两个互相***的导电通道，其中自旋向上的电子，其平均自由程远大于自旋向下的电子。在铁磁层磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的电子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的电子散射要远小于自旋向下的电子，从而造成平行和反平行排列下电阻的差别。
温度传感器检测某个物体的温度或者其所在环境的温度，并将读数转换为电信号。常见的温度传感器类型有热电偶、电阻温度检测器(RTD)、热敏电阻、本地温度传感器、远端热二极管温度传感器IC。热电偶、RTD和热敏电阻等检测元件的电学属性随温度的变化具有非常强的可预测性。本地温度传感器IC利用管芯上晶体管的物理特性作为检测元件。临床级温度传感器必须满足ASTM E1112标准关于临床测温仪技术规范的精度要求。远端温度二极管温度传感器采用外部连接成PN结的晶体管作为检测元件，包括使用一个或多个外部晶体管测量温度所需的全部信号调理电路。
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