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八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件，表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。
一次电源的作用是将单相或三相交流电网变换成标称值为48V的直流电源。目前在程控交换机用的一次电源中，传统的相控式稳压电源己被高频开关电源取代，高频开关电源(也称为开关型整流器***R)通过MOSFET或IGBT的高频工作。
通信电源的二次电源DC/DC变换器已商品化，模块采用高频PWM技术，开关频率在500kHz左右，功率密度为5W~20W/in3。随着大规模集成电路的发展，要求电源模块实现小型化，因此就要不断提高开关频率和采用新的电路拓扑结构。
此类薄膜线路一般是用银浆在PET上印刷线路。在此类薄膜线路上粘贴黏贴电子元器件有两种工艺工法，一种谓之传统工艺工法即3胶法(红胶、银胶、包封胶)或2胶法（银胶、包封胶)，另一种谓之新工艺即1胶法---顾名思义，就是用一种胶即可完成粘贴黏贴电子元器件，而不再用3种胶或2种胶。此新工艺关键是使用一种新型导电胶，完全具有锡膏的导电性能和工艺性能；使用时完全兼容现行的***T刷锡膏作业法，毋需添加任何设备。巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT0)成为当时电力电子器件的主角。