Si3N4的使用温度一般不超过1300°C
氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高。特点自身属性1、化学组成：主要成分决定该耐火材料的品质和特点2、体积密度：单位体积重量，密度大，说明致密性好，强度就可能高，但导热系数可能就大3、显气孔率：没做具体要求，但作为生产厂家需要严格控制显气孔。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下，Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。
氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主
氮化硅砖就是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬
(
Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为关键矿物质成分的耐火保温材料产品。这种砖耐火性高，高溫抗压强度大，抗偏碱渣腐蚀性强，热稳定性，对酸碱性渣也是有一定的适应能力。氮化硅（Si3N4）存有有3种结晶体构造，分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4常出現的形式，且能够 在过热蒸汽下制取。γ相仅有在髙压及高溫下，才可以生成获得，它的强度可做到35GPa。氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的独特耐火保温材料产品。相对密度3.19g/cm3。热膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换器上一千次不毁坏。其结构特征是：SiC大颗粒为基质所包围，基质部分由粒状SiC和原位生成的纤维状Si3N4所组成，Si3N4纤维交织成三维空间网络，将SiC小颗粒包围起来，并与SiC大颗粒形成牢固的机械结合。抗折强度达到200~700MPa，耐空气氧化溫度1400℃，在复原氛围中达到1870℃。室内温度电阻1.1×1014Ω·m。选用硅粉渗氮后煅烧或压合方式制得。生产制造氮化硅砖的关键原料是煅烧镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯净度要尽量高，铬铁矿成分的规定为：Cr2O330～45%，CaO不超1.0～1.5%。
烧造氮化硅砖的生产工艺流程与镁质砖大致差不多。以便清除砖在烧制全过程中因为MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅砖。
Si3N4陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料
Si3N4
结构陶瓷做为一种出色的高温施工材料，能发挥特长的是其在高温行业中的运用。Si3N4
将来的发展前景是：⑴充分运用和运用Si3N4
自身所具备的出色特点；普通轻质隔热耐火砖消费的材质有粘土质、高铝质高强漂珠砖，低铁莫来石、高铝聚轻隔热耐火砖，硅藻土隔热耐火砖。⑵在Si3N4
粉末状烧结时，开发设计一些新的助熔剂，科学研究和操纵目前助熔剂的成份；⑶改进制粉、成形和烧结加工工艺；
⑷研发Si3N4
与SiC等原材料的复合化，便于制得大量的高分子材料。S它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的样子，在N2以及1200℃的高温下开展基本氮化，使在其中一部分硅粉与氮反映转化成氮化硅，这时候全部坯体早已具备一定的抗压强度。随后在1350℃～1450℃的高温炉中开展二次氮化，反映成氮化硅。用压合烧结法能制得做到基础理论相对密度99%的氮化硅。 
热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末和少量添加剂(如MgO
热压烧结法（
HPS)
是将Si3N4
粉末状和小量防腐剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3
等），在1916
MPa之上的气体压强和1600
℃之上的温度开展热压成形烧结。烧结时添加剂和物相构成对商品特性有非常大的危害。因为严控位错相的构成，及其在Si3N4
陶瓷烧结后开展适度的热处理工艺，因此能够 得到即便温度达到1300
℃时强度（达到490MPa之上）也不会显著降低的Si3N4系陶瓷材料，并且抗应力松弛性可提升三个量级。若对Si3N4
陶瓷材料开展1400———1500
℃高溫预空气氧化解决，则在陶瓷材料表层上产生Si2N2O相，它能明显提升Si3N4
陶瓷的耐还原性和高溫强度。热压烧结法生产制造的Si3N4
陶瓷的物理性能比反映烧结的Si3N4
要出色，强度高、密度大。优点氮化硅砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。但制造成本高、烧结机器设备繁杂，因为烧结体收拢大，使商品的规格精密度遭受一定的限定，无法生产制造繁杂零件，只有生产制造样子简易的零件产品，产品工件的机械加工制造也较艰难。 