IC传感器
IC 传感器可在-55°C至 150°C的温度范围内工作 -- 精选的几种IC传感器工作温度可高达 200°C。有各种类型的集成式IC传感器，不过四种常见的集成式IC传感器当属模拟输出器件、数字接口器件、远 程温度传感器以及那些具有温控器功能的集成式IC传感器(温度开关)。模拟输出器件(一般是电压输出，但有些也具有电流输出)在其需要ADC来对输出信号 进行数字化处理时像无源解决方案。振荡器的振荡及停振这二种状态，转换为电信号通过放大转换成二进制的开关信号，经功率放大后输出。数字接口器件常使用两线接口(I2C或PMBus)，并具有内置的ADC。
除了也包括一个局部温度传感器外，远程温度传感器还具有一路或多路输入以便监测远程二极管温度 -- 它们常被置于高度集成的数字IC(例如，处理器或现场可编程门阵列【FPGA】)中。当达到温度阈值时，温控器可提供简单的警报。
使用IC传感器有许多好处，包括:功耗低;可提供小型封装产品(有些尺寸小到0.8mm×0.8mm);还可在某些应用中实现低器件成本。此外，由于IC传 感器在生产测试过程中都经过校准，因此没有必要进一步校准。它们通常用于健身跟踪应用、可佩戴式产品、计算系统、数据记录器和汽车应用。对于超导磁场放大器而言，其磁场放大倍数主要由放大器的尺寸和狭窄区域宽度决定。
光电传感IC
光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。对霍尔传感器作了一些研究,对一款开关型双极霍尔传感器作了设计与分析。
M8101.是一款专门应用于光电感应测控领域，针对PLC/单片机。工控设备等光电应用控制芯片。芯片表面封合了高敏光信号接收管。发射管通过新品托内部调制，能够的避免误动作及环境光干扰。针对光感元器件长久以来面对的长距离对射、漫反射镜面反射等复杂的场景，M8101都能做到处理。茂捷半导体工匠精神的支撑下面对数百万次的密集测试，在长距离对射、漫反射场景中M8101所表现的精度能超越国际厂商1.54代以上。并且M8101精简的外围器件设计。通常是将应变片通过特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，当基体受力发生应力变化时，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。在此茂捷半导体沿用的超小封装QFN4*4的封装形式。使其能广泛的应用于各类及其苛刻的设计环境。
3GMR/超导复合式磁传感器
磁电阻效应是对于一些磁性材料，当施加外磁场时，材料的电阻会发生变化的效应。这种磁电阻效应次由William Thomson 于1857 年在铁样品中发现。这一发现的材料磁阻变化率很小，只有1%，此效应即被称为各向异性磁电阻(AMR)效应。
1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通过分子束外延的方法制备了Fe/Cr 多层膜，并在其中发现了磁阻变化率达到50%以上。这种巨大的磁电阻变化效应被称为巨磁电阻(GMR)效应。GMR效应来源于载流电子在不同的自旋状态下与磁场的作用不同导致的电阻变化。GMR由铁磁—非磁性金属—铁磁多层膜交叠组成。两层铁磁层的矫顽力不同。当铁磁层的磁矩互相平行时，载流子与自旋有关的散射，材料具有的电阻。而当铁磁层的磁矩为反平行时，载流子与自旋相关的散射强，材料的电阻。结果表明所设计的传感器在非敏感方向上梁的刚度较大，轴向交叉效应得到了有效***。对于GMR效应可以由Mott 提出的双电流模型解释。在非磁性层中，不同自旋的电子能带相同，但是在铁磁金属中，不同自旋的能带发生劈裂，导致在费米能级处，自旋向上和向下的电子态密度不同。
在双电流模型中，假设自旋向上和向下的电子沿层面流动对应两个互相***的导电通道，其中自旋向上的电子，其平均自由程远大于自旋向下的电子。在铁磁层磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的电子散射概率相同；2、直流三线式：直流三线式接近传感器的输出型有NPN和PNP两种，70年代日本产品绝大多数是NPN输出，西欧各国NPN、PNP两种输出型都有。而在平行排列下，自旋向上的电子散射要远小于自旋向下的电子，从而造成平行和反平行排列下电阻的差别。