真空泵碳片
硅化石墨的制备
硅化石墨的生产方法主要有三种化学气相沉积法(CVD)，化学气相反应法(CVR)及液硅渗透反应法。
1.化学气相沉积(CVD))法
使含硅、碳的气体通过高温石墨基体发生热分解，生成SiC沉积在石墨基体表面。原料为(CH3SiC3)、氢、硅蒸气等。沉积温度范围较宽，从1175℃到1775℃。用此法生成的SiC层非常致密，厚薄均匀，第二农场真空泵碳片，一般厚度约为0.1～0.3mm。但SiC与石墨基体的结合为纯机械结合，结合力较弱，在温度急变时SiC层易发生龟裂、剥落。
真空泵碳片/叶片
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真空泵碳精片
真空泵碳精片非正确安装时容易出现的情况
1、是否进入***导致叶片碎裂、卡死。
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