抛光三环节研磨、抛光、还原各环节具体含义及质量标准：1、 研磨：通过表面预处理清除漆面上的污物，消除严重氧化、细微划痕及表面缺陷，工艺大多采用水砂纸去除表面瑕疵，一般使用3M 1500-2500皇牌水砂纸。随着人工成本的提高，水磨砂纸研磨效率不高，使用后砂纸痕较重的问题开始凸显，一些主流站开始采用3M 金字塔砂纸，P1500和P3000砂纸，使用干磨机抛光半湿磨的方式进行研磨，无砂纸痕的残留，机械化操作，可极大的提高抛光效率。具体步骤如下：a, 缺陷去除。漆面喷洒少量水，使用P1500金字塔砂纸配合干磨机整体上下左右各一遍，漆面呈亚光状态；打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面的白沫，观察漆面，找出突显的缺陷，再在砂碟上喷洒少量水，去除缺陷。b, 漆面过细。使用干磨机配合P3000金字塔砂碟和干磨软垫过细打磨过的漆面，在砂碟和漆面上喷洒一定量的水，以较快的移遮蔽保护动速度，按上下左右顺序各两道打磨整个漆面。打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面水和白沫。
化抛剂是一种浅色浑浊液体，主要成分为不锈钢蚀刻剂、缓蚀剂、光亮剂。
不锈钢化抛全称为不锈钢表 面化学抛光剂详细内容主要成分：不锈钢蚀刻剂、缓蚀剂、光亮剂、表面活性剂、不锈钢表面修复剂、缓冲剂等。适用范围：适用奥氏体、马氏体等多种不锈钢的表面化学抛光物理化学性质：蚀刻 剂gt;20%光亮剂gt;10%修复 剂gt;1.5%其他活性剂gt;4%特 性：本产品是一种新型的不锈钢化抛剂；药剂具特 殊的缓冲体系，抛光效能稳定。该产品使用简单、方便，抛光亮度易控制 ，可根据处理的温度和时间来控制，温度高则时间短，反之温度低则时间长。抛光后的产品亮度均匀 一致，且本药剂的处理温度为中温，无需加过高的温度。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
