四氟化1碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳与氟1化氢的反应在填有氢1氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45:1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
四氟化碳亦称全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳，为非腐蚀性气体，所有通用材料如钢、不锈钢、铜、青铜，铝等金属材料都可以使用。四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。
