磁控溅射种类
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击Ar产生离子的概率。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶工业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率可超过70%，但缺少足够数据或理论证明。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高，但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影响因素是什么？
靶面金属化合物的形成。
由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。连续式的磁控溅射生产线总体上可以分为三个部分:前处理,溅射镀膜,后处理。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。
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磁控溅射镀膜设备技术的特点
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(1)工件变形小 由于工件表面均匀覆盖辉光，温度一致性好，可以通过控制功率输出来实现均匀升温。另阴极溅射抵消了渗人元素引起的尺寸扩一大
(2) 渗层的***和结构易于控制 通过调整工艺参数，可得到单相或多相的渗层***
(3)工件无须附加清理 阴极溅射可以有效去除氧化膜，净化工件表面，同时真空处理无新生氧化膜，这些都减少了附加设备和工时，降低了成本。
(4) 防渗方便 不需渗的地方可简单地遮蔽起来，对环境无公害，无污染，劳动条件好。
(5) 经济效益高，能耗小 虽然初始设备***较大，但工艺成本极低，是一种廉价的工程技术方法。此外，离子轰击渗扩技术易实现工艺过程或渗层质量的计算机控制，质量重复性好，可操作性强。
