氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,有望在高峰值能量的能量限制器、大直径高质量的GaN的衬底、未来的5GHz之外的无线通信、高电场设备、高温高能电子器件、高电场设备、高温高能电子器件等方面得到广泛应用。
氧化锌（ZnO）单晶已被应用于表面声波(SAW)器件、气敏元件、压电元件、透明导 电体、压敏电阻等众多方面。作为氧化锌单晶的培养方法，已知有利用水热合成法的培养方法。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。
氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽使之成为紫外以及可见光发光材料．同时由于具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质,氧化锌（ZnO）是重要的工业原料在塑料和橡胶添加剂丶传卮器丶发光显示器件等领域有广泛的应用。近几年人们发现氧化锌晶体在常温下存在柴外受激发射有可能实现固体案外和蓝光的激光发射,其独特的发光性能也引人们极大地关注。
氧化锌（ZnO）的带边发射在紫外区，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，凸显了氧化锌（ZnO）在半导体照明工程中的重要地位，并且与SiC、GaN等其它的宽带隙材料相比，氧化锌（ZnO）晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252A c=5.313 A；密度：5.7（g/cm3）；硬度：4（mohs）；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。
