Magneto-Resistor Serial
Giant Magnetic Resistor Sensors
巨 磁 敏 电 阻 元 件
铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化（达4~10℅,各向异性磁敏电阻为小于3%）.该现象叫巨磁阻效应. 磁电阻（MR）传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点 .
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MTG-L2 |
MTG-L3(桥式) |
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工作电压 |
5V ~ 15V |
5V ~ 15V |
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工作磁场范围 |
0 Gs ~ +/-3Gs |
0 Gs ~ +/-10 Gs |
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标称阻值(KΩ) |
1.0----3.0 |
1.0----2.0 |
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对称性 |
小于1℅ |
小于1℅ |
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线性度 |
小于1℅ |
小于1℅ |
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灵敏度 |
1~4.0mV/V,Gs |
0.8~2.0mV/V,Gs |
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标称阻值温度系数TCRO |
0.09～0.12％/℃ |
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磁阻效应温度系数TCVΔR/RO |
-0.1％/℃ |
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磁阻效应温度系数TCIΔR/RO |
0.031％/℃ |
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频率特性 |
0----1000 KHz |
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工作温度 |
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封装 |
- TO 92-3 |
TO92-4 |
薄膜磁敏电阻元件的技术指标:
应用:
1. 电子罗盘或电子指南针:航海,航空导航;
2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测;
3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测(检测距离是5-10米).
4． 低功耗要求磁场检测;
5．高速接近传感器(磁钢)远距离(大于200mm)检测。