刻蚀技术
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刻蚀技术（etching technique），是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。
影响离子束刻蚀的因素
影响刻蚀效果的因素很多，还有诸如离子刻蚀的二次效应、光刻胶掩模图形的形状和厚度、源靶距效应、离子刻蚀弓起的材料损伤及温度效应等。
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀机由真空室、工作台、快门、真空抽气系统、供气系统、水冷系统、电源和 电器系统等主要部分组成,图1-1所示为离子束刻蚀机的工作原理图。该机在正常工作 时,首先将真空室的压力抽至2×10-3Pa或更低,再调节Ar气流量,使真空室压力保持 在1×10-2~2×10-2Pa(如需要辅助气体,如O2、CH2等,则可按一定比例与之混合), 然后启动离子源各电源,使离子源正常工作,从离子源引出一定能量和密度的离子束 被中和器发射的电子中和后,轰击工件进行溅射刻蚀。