光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。goodpr是大陆比较多公司采用的，但是Futurre光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也比较厚从18um-200um都可以做到，看你对工艺的要求了。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
正负光刻胶
正负光刻胶
光刻胶分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。赛米莱德提供美国Futurrex的光刻胶的供应与技术参数。LCD市场助力***LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。
NR9-1000py
问题回馈：
1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。
A 据我所知，Futurrex
有几款胶很，NR7-1500P
NR7-3000P是专门为离子蚀刻
设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。
2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？
A 美国光刻胶，Futurrex
正胶PR1-2000A
, 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。
3．你们是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的应用产品？
A 我们建议使用Futurrex
PR1-500A , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，
反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~
4． 求助，耐高温的光阻是那一种？
A Futurrex, NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS
silyiation process,可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。
5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？
A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。
6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合？
A 可以考虑使用Futurrex
，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7．请问，那位***知道，RIE
Mask,用什么光阻比较好？
A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。
8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？
A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。
9．在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？
A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。
10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻适合？
A 有一种胶很适合，美国Futurrex
生产的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers