氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物，熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前，氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。氧化锌（ZnO）单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，重庆ZnO晶体，其可直接跃 迁，禁带宽度(Eg 3. 37eV)大。此外，与其它半导体材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子结合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。
一种生长氧化锌晶体的方法，在真空下，氧化锌ZnO晶体，通入保护气，以氧化锌的粉为粉源，将氧化锌的粉加热使其升华为气体，所述升华的气体在温度梯度作用下被输运到氧化锌籽晶表面且结晶生长.采用升华法生长氧化锌晶体装置，ZnO晶体基片，加热速度快，生长室容易达到高真空，可通过改变工艺条件实现对氧化锌晶体尺寸，生长速度的控制，可获得高质量大尺寸氧化锌晶体;克服了现有技术生长速率低的不足，且工艺设备要求简单，成本较低.
基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料，因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。氧化锌（ZnO）晶体具有四种晶体结构，ZnO晶体基片公司，闪锌矿结构(与金刚石类似，可看成氧原子FCC排列，4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);NaC结构;CsCl结构(氧原子简单立方排列，锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构，氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。
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