铁硅l铝与间隙铁氧体有着怎样的联系
铁硅l-铝和间隙铁素体是两种常用材料。在软饱和度方面，间隙铁素体必须设计在下降曲线的安全区域。硅铁设计在受控下降曲线范围内，因此在磁通量比较方面提供容错特性，特别是在高功率下，假设设计点特定下降50％，KoolMμ磁通量超过两倍间隙铁素体，使芯的尺寸减小35％，并且芯的尺寸可减小30％至35％。磁环软饱和曲线使铁硅设计本身具有容错性，而间隙铁氧体则不具备容错性。磁环铁素体的磁通随温度变化，而铁硅保持相对稳定。许多铁氧体供应商或制造商将在25％°C和100％°C之间提供不同的材料。由于铁***的材料和结果与间隙铁素体的材料和结果不同，因此温度变化的变化不会太大。在边缘损耗方面，铁和硅不会遭受边缘损失，而间隙铁氧体具有大的边缘损耗，并且芯的间隙部分随着温度的增加而增加。铁***（KoolMμ）也存在间隙，但这是一个均匀的分布间隙，因为这种形式在高功率应用中会更好。对于尺寸和能量储存，可以从铁***（KoolMμ）和锰锌铁氧体之间的LI2值的比较中看出。当尺寸为55mm时，试验铁***为60μ，铁***（KoolMμ）在体积的情况下，储能量约为锰锌铁铁氧体的两倍。在预烧结和/或烧结过程中，继续抽真空，然后填充惰性保护气体，并控制惰性保护气体的速度F。当储能相同时，LI2值相同，KoolMμ的体积小得多。这有效地减少了设计者的设计尺寸。间隙铁氧体也有许多优点。间隙铁氧体可以具有非常高的有效磁导率μeff，铁氧体可以高于500，并且硅铁目前限于μeff=125。磁环间隙铁氧体用于某些低功率设计更为合适。