化学抛光是金属表面通过有规则溶解达到光亮平滑。在化学抛抛光材料，抛光蜡(4张) 光过程中，钢铁零件表面不断形成钝化氧化膜和氧化膜不断溶解，且前者要强于后者。由于零件表面微观的不一致性，表面微观凸起部位优先溶解，且溶解速率大于凹下部位的溶解速率；而且膜的溶解和膜的形成始终同时进行，只是其速率有差异，结果使钢铁零件表面粗糙度得以整平，从而获得平滑光亮的表面。抛光可以填充表面毛孔、划痕以及其它表面缺陷，从而提高疲劳阻力、腐蚀阻力
使用方法：1． 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用处理温度 amp;nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 amp;nbs p; 搅拌浸泡处理时间 amp;nbs p; 5-10分钟 5min注：使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2． 处理流程工件脱脂 水洗 ***化抛剂 清洗（2-3次） 烘干或后处理工序。建 浴：1、清槽 建议使用钢体结构内衬PP或PE材料，首先使用 碱液清洗后再使用盐酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制 原液使用。废水处理：废水处理按常规***处理，同时应遵循 有关的化学应用规则，注意事项：在接触***时，必须阅读、理解和遵循MSDS上 的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
