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分子动力学模拟氢微纳米气泡生产厂家压坏时产生的射流对半导体衬底研磨的影响

随着功率半导体器件的需求增加，要求CMP提高SiC、GaN等高硬度半导体基板的研磨速度。我们考虑了氢微纳米气泡生产厂家压坏时产生的射流的利用。由于射流具有比冲击波更强的冲击力，因此通过使喷气式流与基板碰撞，可以期待研磨速度的提高。因此，在本演讲中，我们报告了利用分子动力学计算分析了氢微纳米气泡生产厂家射流对SiC半导体衬底的影响的结果。

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