化学气相沉积过程介绍
化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。在成沉积时往装置中通入氧气是为了消除掉原料因热分解产生的碳，并制备出更有金属光泽的金属薄膜，如若不然则得到的就是铱碳簇膜，也就是纳米等级被晶碳层所包裹的铱颗粒。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。
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PCVD与传统CVD技术的区别
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PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。金属和炭组成的簇膜是一种输送多孔催化活性强的簇膜，在电极材料上的使用在未来将很有潜力。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。
