NR9 1500P光刻胶厂家质量材质上乘 北京赛米莱德公司

LCD市场助力

***LCD面板总出货面积增长，LCD光刻胶需求增加。据WitsView数据，虽然近三年国际LCD厂商面板出货量有所下降，但是由于大屏显示的市场扩增，LCD整体出货面积变大，2016年出货总面积达到1.7亿平方米，同比增长4.6%。随着LCD出货面积的持续增长，中国产业信息网预测，未来几年***LCD光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据LCD市场比重越来越大，国内LCD光刻胶需求也会持续增长。这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留。

光刻工艺重要性二

光刻胶的***波长由宽谱紫外向g线→i线→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移动。随着***波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得愈发严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品质量有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，EUV(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介

光刻胶具有光化学敏***，其经过***、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。

光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶专用***，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。

光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占***市场24.5%，半导体IC光刻胶占***市场24.1%，LCD光刻胶占***市场26.6%。

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正性光刻胶的金属剥离技术

正性胶的金属剥离工艺对于获得难腐蚀金属的细微光刻图形比常规的光刻胶掩蔽腐蚀法显示了优越性。本文首先对金属剥离工艺中的正、负光刻胶的性能作了对比分析。认为正性光刻胶除图形分辨率高而适应于微细图形的掩膜外，它还具有图形边缘陡直， 去胶容易等独特性能，比负性光刻胶更有利于金属剥离工艺。然后给出了具体的工艺条件，并根据正性光刻胶的使用特点指出了工艺中的关键点及容易出现的问题。如正性光刻胶同GaAs表面的粘附性较差，这就要求对片子表面的清洁处理更为严格。为了高止光刻图形的漂移控制光刻图形的尺寸，对***时同特别是显影液温度提出了严格的要求。由于工艺中基本上不经过腐蚀过程，胶膜的耐腐蚀性降到了次要地位。正胶的图像与掩模板的图像是一致的，故此叫正胶，利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。