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钨铜电子封装片提供热传导之间的170和220 w / mK的降低热膨胀系数相匹配的半导体二极管制造（5.6-9.0 PPM/℃） 。激光模具通常是建立在GaAs基板使用，如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。后的化学成分可能包括或钢群化錄铟（InGaP) 。近，w50钨铜板生产，铟家氮化物（InGaN）激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化嫁之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。
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钨铜合金活化液相烧结法由于高温液相烧结法不能获得接近理论密度的钨铜合金，采用烧结后处理则增加工艺复杂程度和生产成本。而通过加入活化元素来提高烧结活性的活化硕士文献评述液相烧结法不仅降低了烧结温度，缩短了烧结时间，而且使得烧结密度大大提高。J.L.Jolinson和R.M.German等人研究了过渡族元素Pd、Ni、Co、Fe的活化效果。
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不同的钨铜底座由模具压制成采用不同的技术工艺。性能比高的使用基线和高纯度铜160-W/mK的性能的钨铜材料（导热=398 w /MK) 。基于热阻减少， 19.1%的改善，将得到200-W/mK材料。功能梯度为320-w/mK材料约47.54% ，提供了56.88% ，超过标准的改善与材料在结温也相应减少。使用功能梯度材料（功能梯度材料）技术的发展推动了铜/钨大约320 w / mK的热导率水平的性能信封。这种性能水平相比于铜的导热性能。这些导热性能的常见的使用方案即为钨与铜的材料。
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