多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12%左右。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。
统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过有变压器的逆变器负极接地，消除组件边框相对于电池片的正向偏压会有效的预防PID现象的发生，但逆变器负极接地会增加相应的系统建设成本。
光伏组件：接线盒
晶体桂太阳电池组件的正，负极从背板引出后需要一个专门的电气连接盒来实现与外电路的连接。为了保证25年的使用寿命，接线盒应由工程塑料注塑制成，并加有防老化和抗紫外线辐射剂，能确保组件在室外长期使用不出现老化现象。接线柱应由外镀镍层的电解铜制成，能确保电气导通及电气连接的可靠。接线盒应用硅橡胶粘接在TPT表面。对用于太阳电池组件接线盒的要求是：外壳具有很好的抗老化、耐紫外线能力，满足室外恶劣环境条件下的使用要求，晶体硅太阳电池组件用接线盒IP等。
光伏电池的数学模型：
在光照强度和环境温度一定时，光伏电池既非恒压源，也非恒流源，也不可能为负载提供任意大的功率，是一种非线性直流电源。其等效电路如图1所示[1,3]。图1中，UJ为PN结电压，Id为光伏电池在无光照时的饱和电流，Id=Io{EU IRS) nKT-1}.一个理想的太阳能电池，由于串联电阻RS很小，旁路电阻Rsh很大，所以在进行理想电路的计算时，它们均可忽略不计。由图1的太阳能光伏电池等效电路得出：I=Iph-I0[eq(U IRS) nKT -1]- U IR R s sh(1)式中，I为光伏电池输出电流;I0为PN结的反向饱和电流;Iph为光生电流;U为光伏电池输出电压;q为电子电荷，q=1.6伊10-19 C;k为波尔兹曼常数，k=1.38伊10-23 J/K;T为热力学温度;n为N结的曲线常数;Rs，Rsh为光伏电池的自身固有电阻。
