氧化锌（ZnO）是重要的工业原料在塑料和橡胶添加剂丶传卮器丶发光显示器件等领域有广泛的应用。近几年人们发现氧化锌晶体在常温下存在柴外受激发射有可能实现固体案外和蓝光的激光发射，ZnO晶体基片，其独特的发光性能也引人们极大地关注。氧化锌还是良好的光催化材料，可用于环境中的生物降解，光触媒杀菌等。为了更好地研究氧化锌的导体性能，有必要合成高质量的氧化锌单晶。
氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。ZnO半导体室温带隙为3.37eV，且束缚激子能高达60MeV，使其在紫外半导体光电器件方面具有很大潜在应用价值。制备难度和诱人的应用前景使得氧化锌晶体的生长技术成为材料研究的热点。氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程，而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程，控制了氧化锌晶体的尺寸。
ZnO是一种典型的宽带隙半导体材料，兰州ZnO晶体，高质量ZnO晶体的生长具有非常重要的研究意义.目前，ZnO晶体的生长方法主要有气相法，水热法和助熔剂法.以MOH(KOH，NaOH，ZnO晶体基片哪家好，LiOH或其组合) H2O为助熔剂的方法简称碱液法，晶体的生长温度在480℃左右。我们以KOH LiOH H2O为助熔剂，ZnO晶体价格，利用自发成核法不仅在480℃左右生长出了ZnO晶体，而且还在400℃以下生长出了无色透明的体块晶体，经XRD检测晶体为纤维锌矿ZnO
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