在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。在***深加工产品这一领域，如何来提升***产品的技术含量和档次，***纳米技术、纳米材料的科学研究，实践应用是这个产业向产业化发展的方向，成为当代关注和竞争的主要课题。
但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。许多珍***回收服务企业采用***的精练技术提取金，银，铂等金属。
在传统产业的应用领域中，对于***的需求也随着这些产业的兴衰而出现此起彼落此消彼长，甚至出现行业的淘汰而与***无缘，例如照相用胶卷。科技的进步和发展，使传统产业发生剧烈的变迁，也使***的供求状况出现急剧的变化，这种变化也是导致了***的价格出现剧烈波动的因素之一。然而在传统产业不断的创新和转型中，***依然成为选择的关键性材料，用更***和更科学的工艺和手段，把***的独特性能发挥得更淋漓尽致。背靶材料：无氧铜(OFC)–目前***常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有良好的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。
