刻蚀机
刻蚀精度主要是用保真度、选择比、均匀性等参数来衡量。所谓保真度度，就是要求把光刻胶的图形转移到其下的薄膜上，即希望只刻蚀所要刻蚀的薄膜，而对其上的掩膜和其下的衬底没有刻蚀。事实上，以上三个部分都会被刻蚀，只是刻蚀速率不同。选择比就是用来衡量这一指标的参数。S=V/U（V为对薄膜的刻蚀速率，U为对掩膜或衬底的刻蚀速率），S越大则选择比越好。由于跨越整个硅片的薄膜厚度和刻蚀速率不尽相同，从而也导致图形转移的不均匀，等离子刻蚀机尤其是中心和边缘相差较大。因而均匀性成为衡量这一指标的重要参数。除以上参数外，刻蚀速率也是一个重要指标，它用来衡量硅片的产出速度，刻蚀速率越快，则产出率越高。
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离子束刻蚀机
离子束刻蚀是利用离子束直接轰击工件，将工件上的材料溅射出来，实现材料去除的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率较高、陡直性较好的特点。应用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。
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离子束刻蚀
离子束刻蚀技术是近年来发展起来的一种微细加工技术，它利用反应离子束轰击团体表面时发生的溅射效应和化学反应剥离加工工作上的几何图形。具有极高的分辨率，能够控制槽深和槽壁角度，轰击离子束刻蚀机，表面应力小。反应离子束刻蚀技术已有效地用于研究和制造大规模和超大规模集成电路，声表面波器件，磁泡存储器，轰击离子束刻蚀机哪家好，微波器件，轰击离子束刻蚀机多少钱，集成光路，超导器件，闪烁光栅等。
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