氮气发生器知识大全
氧、氮两种气体分子在分子筛表面上的扩散速率不同，直径较小的气体分子（O2）扩散速率较快，较多的进入碳分子筛微孔，直径较大的气体分子（N2）扩散速率较慢，进入碳分子筛微孔较少。利用碳分子筛对氮和氧的这种选择吸附性差异，导致短时间内氧在吸附相富集，氮在气体相富集，如此氧氮分离，在PSA条件下得到气相富集物氮气。氢气发生器使用须知氢气发生器主要由电解系统、压力控制系统和净化系统组成。
氮气发生器的特点：
1.独特的防返液装置，确保仪器绝i无返液现象。
2.采用***的开关电源，提高电解分离效率。
3.改进的双阴极不锈钢电解分离池，电解制氮、排氧同步进行，电解液循环畅通。
4.电解分离池电解面积大，池温低，产气量大，氮气纯度更高。
氮气发生器主要技术参数：
1、氮气纯度：＞99.997%
2、输出流量：0‐700ml/min
3、输出压力：0–0.5Mpa（出厂设定0.4Mpa）
4、工作电源：220V±10%；50HZ±5%
5、***大功率：150W
6、外形尺寸：320*180*350mm
氮气机的种类
一、变压吸附制氮设备
(一）变压吸附（Pressure Swing Adsorption，简称PSA）气体分离技术是非低温气体分离技术的重要分支，是人们长期来努力寻找比深冷法更简单的空分方法的结果。七十年代西德埃森矿业公司成功开发了碳分子筛，为PSA空分制氮工业化铺平了道路。该氮气发生器可以用于气相色谱仪做载气，仅适用于分析组分成分要求不高的行业。三十年来该技术发展很快，技术日趋成熟，在中小型制氮领域已成为深冷空分的强有力的竞争对手。
（二）变压吸附制氮是以空气为原料，用碳分子筛作吸附剂，利用碳分子筛对空气中的氧和氮选择吸附的特性，运用变压吸附原理（加压吸附，减压解吸并使分子筛再生）而在常温使氧和氮分离制取氮气。
（三）变压吸附制氮与深冷空分制氮相比，具有显著的特点：吸附分离是在常温下进行，工艺简单，设备紧凑，占地面积小，开停方便，启动迅速，产气快（一般在30min左右），能耗小，运行成本低，自动化程度高，操作维护方便，撬装方便，无须专门基础。所以变压吸附制氮设备是目前应用为广泛的技术。下面我们就具体来介绍一下：一、电化学分离法和物理吸附法：采用这种原理产生的氮气存在的问题很多。
二、膜分离空分制氮设备
（一）膜分离空分制氮也是非低温制氮技术的新的分支，是80年代国外迅速发展起来的一种新的制氮方法，在国内推广应用还是近几年的事。
（二）膜分离制氮是以空气为原料，在一定的压力下，利用氧和氮在中空纤维膜中的不同渗透速率来使氧、氮分离制取氮气。它与上述两种制氮方法相比，具有设备结构更简单、体积更小、无切换阀门、操作维护也更为简便、产气更快i（3min以内）、增容更方便等特点，但中空纤维膜对压缩空气清洁度要求更严，膜易老化而失效，难以修复，需要换新膜，它与同规格的变压吸附制氮装置相比，价格要高出30%左右，纯度也相对较低。5、高纯氢气发生器安全性高，仪器配有两级过压保护，当压力超过设定值，仪器自动切断电路停止产气。
高纯氮气发生器工作原理:
氮气发生器的工作原理是以电解法产生氢气，它以氢氧i化钾水溶液为电解液，以贵金i属做电极，采用上海气谱i新膜分离技术将氢气和氧气彻底分离，并在电解池中采用了过度族金属催化技术，使产氢纯度含氧量小于3PPM。
高纯氮气发生器具有体积小、重量轻、产气纯度高所需流量自动跟踪等特点。高纯氮气发生器仪器配备了***的自动排空装置及防过液装置，提高了自动化程度，低液位提醒装置更能有效保护电解池。使用户操作更方便，更安全可靠。
高纯氮气发生器技术指标：
输出流量 300型0-300ml/min；500型0-500ml/min
输出压力 0.4Mpa （出厂设定）
氮气纯度 99.999％
i大功率 300型150W；500型180W
工作电源 100～240VAC 50/60Hz 1A
环境温度 5℃～40℃
相对湿度 ＜85％
技术参数
压力、压强、大气压、绝i对压力、相对压力
气体分子运动时对容器壁的撞击时产生的力称压力。对容器单位面积所产生的压力叫压强。压强的单位习惯上使用毫米国际通用(法定计量)帕(Pa)、千帕(kPa)、兆帕(MPa)。对于变压吸附系统而言，在塔切换过程中氮气存储容器通常用作缓冲区，确保不影响下游压力和流量。经换算1mmHg=133.3Pa=0.1333kPa，1MPa=1000kPa=1000000Pao1ATA=0.1MPao。
包围在地球表面一层很厚的大气层对地球表面或表面物体所造成的压力称为“大气压”，符号为B；直接作用于容器或物体表面的压力，称为“绝i对压力”，绝i对压力值以绝i对真空作为起点，符号为PABS。
用压力表、真空表、U型管等仪器测出的压力叫“表压力”(又叫相对压力)，“表压力”以大气压力为起点，符号为Pg。三者之间的关系是：PABS==B Pg。
