东莞市兴之扬电子科技有限公司成立于2010年，是***生产加工精密金属元件的加工制造与贸易相结合的工贸高新科技企业。02mm厚的金属材料，直至1mm厚，都可以实现批量化的生产加工，而且加工的质量稳定，批次清楚，品控体系严格。公司现拥有***的自动化光电蚀刻工艺生产线。公司拥有6条***的蚀刻生产线及ISO9001:2008的品质管控体系，产品广泛应用于：家电、电子通讯、精密五金、石油化工、精密工程应用元件等行业，能满足客户临时的和超大量的订单，日蚀刻面积达1500平方米，月生产能力达5000万只（片）{视产品类型而定}。在质量管控方面，公司拥有一批敬岗爱业的***技术人员，各道工序专人把关，确保产品质量能达到客户的要求控制不良率,力求做到“生产出的产品合格率达99%，出厂的产品合格率达100%”。
我们力争设备、工艺、技术、质量、管理等诸方面都能达到国内同行业的高水准。当钢片为阴极时（阴极除油），其表面进行的是还原反应，析出氢气。我们的主要产品：光电金属零件、手机金属元件、复印机消静电带、光电编码器金属码盘、VFD用栅网、虫网金属光栅、缝纫机金属码盘、主轴光栅、步进电机光栅、吸尘器不锈钢网片、腐蚀不锈钢网片、金属蚀刻网片、吹风机钢网片、吹风机蚀刻不锈钢网、***T蚀刻不锈钢网等。FPC补强钢片、各类滤网，榨汁网，茶网。机械表金属表面。我们一贯恪守以诚为本的经营理念，遵循以人为本的企业文化，追求用户至上的高服务水准，希望我们的真诚能换来更多客户的支持与指导，并与您共度坎坷而不懈怠，携手同进，共创美好明天！
兴之扬蚀刻不锈钢网片小编来向大家说说电浆干法蚀刻制程参数：
电浆蚀刻制程参数一般包括了射频(RF)功率、压力、气体种类及流量、蚀刻温度及腔体的设计等因素，而这些因素的综合结果将直接影响蚀刻的结果。
射频(RF)功率是用来产生电浆及提供离子能量的来源，因此功率的改变将影响电浆中离子的密度及撞击能量而改变蚀刻的结果。压力也会影响离子的密度及撞击能量，另外也会改变化学聚合的能力；蚀刻反应物滞留在腔体内的时间正比于压力的大小，一般说来，延长反应物滞留的时间将会提高化学蚀刻的机率并且提高聚合速率。b、NaOH浓度对蚀刻速度影响NaOH浓度太高将使成本投入增大，零件带出量增大，不利于进行低成本的加工。气体流量的大小会影响反应物滞留在腔体内的时间；增加气体流量将加速气体的分布并可提供更多未反应的蚀刻反应物，因此可降低负载效应(LoadingEffect)；改变气体流量也会影响蚀刻速率。原则上温度会影响化学反速率及反应物的吸附系数(AdsorptionCoefficient)，提高芯片温度将使得聚合物的沉积速率降低，导致侧壁的保护减低，但表面在蚀刻后会较为干净；增加腔体的温度可减少聚合物沉积于管壁的机率，以提升蚀刻制程的再现性。晶圆背部氦气循环流动可控制蚀刻时晶圆的温度与温度的均匀性，以避免光阻烧焦或蚀刻轮廓变形。其它尚须考虑的因素还有腔体的材质，一般常见的材质包含铝、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔体材质会产生不同的反应产物并会改变蚀刻的直流偏压。
兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：
在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用HF溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的HF溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：SiO2 6HF=H2 SiF6 2H2O
由于HF对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的HF溶液，或是添加NH4F作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。(3)蚀刻的安全应引起重视，应戴防毒面具或口罩，防止意外事故发生，尤其是氨水的气味，大量吸入对******。NH4F的加入可避免氟化物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂HF蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE:BufferOxideEtcher)(体积比6:1之NH4F(40%)与HF(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。
在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如BPSG等。因此，所有的不锈钢元素都具有一种共同的特性，即铬含量均在10．5％以上。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此HF溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。
兴之扬金属蚀刻网片小编给大家介绍湿式蚀刻过程可分为三个步骤：
1)化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面；2)蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应；3)反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出(3)。三个步骤中进行慢者为速率控制步骤，也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。
大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤，各种形态的反应都有可能发生，但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化，再将此氧化层溶解，并随溶液排出，如此反复进行以达到蚀刻的效果。如蚀刻铝、硅时即是利用此种化学反应方式。