LED器件对驱动电源的要求几乎是苛刻的，与普通白炽灯泡不同的是，LED可以与220V交流电力直接连接。发光二极管是低电压驱动，需要设计复杂的转换电路，LED灯有不同的用途，电源适配器也有不同的配置。一个好的电源设计必须综合考虑各种因素，如效率转换，有效功率，恒流精度，电源寿命，电磁兼容性等，因为电源在整个灯具中的作用如同人的心脏一样重要。
大尺寸LCD驱动IC的特点
大尺寸LCD驱动IC的特点
，led 驱动 ic，高电7a6431333365643535压工艺。模拟电路中电压越高，驱动能力越强，因此大尺寸LCD驱动IC采用高电压制造工艺，通常Source Driver IC为10~12V，led驱动ic算法， Gate Driver IC更高，达40V。
第二，运行频率高。液晶显示器的分辨率越来越高，这就意味着扫描列数的增加，坪山新区led驱动ic， Gate Driver IC必须不断提高开关频率， Source Driver IC必须不断提高扫描频率。
第三，封装工艺特殊。LCD驱动IC通常绑定在LCD面板上，高压线性led驱动ic，因此厚度必须尽可能地薄，通常采用高成本的TCP封装。还有特别追求薄的，采用COG封装，再有就是目前正在兴起的COF封装。
第四，管脚数特别多。Gate Driver IC少256脚， Source Driver IC少384脚。
第五，单一型号出货量特别大。驱动IC 单月平均出货量高达1.5亿片，而其中平均每个型号的出货量达差不多在300万片左右。LCD 的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
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