ICP刻蚀机简介
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一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、
硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸Ф340mm×160mm；
3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；
系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20Pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。
气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫
12. 刻蚀速率
SiO2：≥0.5μm/min
Si：≥1μm/min
光刻胶：≥1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（Φ4英寸范围内）
优于±6%（Φ6英寸范围内）
14. 选择比
CF4的选择比为50,
化学气相沉积的应用
现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行的气相扰动，以改善其结构。但是，我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。因此，无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。
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化学气相沉积的原理
沈阳鹏程真空技术有限责任公司***生产、销售化学气相沉积，我们为您分析该产品的以下信息。
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：
（1）形成挥发性物质 ；
（2）把上述物质转移至沉积区域 ；
（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。
