大的DRAM模块变得更加“友好”的另一个方面是其功耗。从180纳米向130纳米转换时功耗已经得到极大的改善。在130纳米工艺下，一个分页写模式的DRAM功耗只有180纳米工艺下的34%。待机功耗也降到了180纳米下的24%，而停止工作时的功耗只有180纳米下的12%。功耗的减少有助于推动大的嵌入式DRAM在便携式摄像机和手机SoC中的应用。
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且在新形势社会下，已不再完全是大鱼吃小鱼，更多是快鱼吃慢鱼的形态了，如果你发现一个新市场不去快速抢占，则很快被对***占先机让你变得非常被动，甚至无法渗入直接放弃；如果你发现一个新电路而不去申请保护，很快你就要面临重新设计方案或花费高额使用权而烦恼。电路的创新设计电源模块的电路方案已越趋于成熟，针对不同的电源模块性能需求，所选的电路方案也已基本固定成型，要使产品鹤立鸡群，就必须得在设计电路上要舍得投入研究突破，如无损电路、软开关、新式电路等，像有一种新式变换器“开关电容变换器”，省去了磁芯变压器，产品的体积就可以设计得非常小。
嵌入式存储器的繁荣完全归功于新的集成工艺技术的成功，开发这些工艺技术的初始阶段就考虑了大存储器。工艺一代比一代更加精良，保证了含有SRAM或DRAM芯片的高成品率。仅仅在这个层面上，就可以预言ASIC厂商能提供具有成本效益的嵌入式存储器。基于这个原因，用户可以预计SRAM和内嵌沟道型DRAM将是未来SoC的流行选择。除了成本的降低，采用这类存储器可以把上市时间和设计风险降到。要得到这些好处，用户要注意的是必须有效利用其工艺供应商的存储器IP，因为制造工艺要结合专门的存储器结构才能发挥作用。针对非易失性存储要求，东芝公司已经发现，在一个堆叠裸片封装中将SoC和现成的闪存结合在一起可以工作得非常好，而且成本较低。另外，SRAM对于小的、高速的SoC存储器来说是理想选择，而嵌入式沟道型DRAM适合于满足大的存储块需要。
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