大的DRAM模块变得更加“友好”的另一个方面是其功耗。从180纳米向130纳米转换时功耗已经得到极大的改善。在130纳米工艺下，一个分页写模式的DRAM功耗只有180纳米工艺下的34%。待机功耗也降到了180纳米下的24%，而停止工作时的功耗只有180纳米下的12%。功耗的减少有助于推动大的嵌入式DRAM在便携式摄像机和手机SoC中的应用。
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ADC模块是一个12位、具有线结构的模数转换器，用于控制回路中的数据采集。本文提出一种用于提高TMS320F2812ADC精度的方法，使得ADC精度得到有效提高。1ADC模块误差的定义及影响分析1.1误差定义常用的A/D转换器主要存在：失调误差、增益误差和线性误差。这里主要讨论失调误差和增益误差。理想情况下，ADC模块转换方程为y=x×mi，式中x=输入计数值=输入电压×4095/3;y=输出计数值。
嵌入式存储器的繁荣完全归功于新的集成工艺技术的成功，开发这些工艺技术的初始阶段就考虑了大存储器。工艺一代比一代更加精良，保证了含有SRAM或DRAM芯片的高成品率。仅仅在这个层面上，就可以预言ASIC厂商能提供具有成本效益的嵌入式存储器。基于这个原因，用户可以预计SRAM和内嵌沟道型DRAM将是未来SoC的流行选择。除了成本的降低，采用这类存储器可以把上市时间和设计风险降到。要得到这些好处，用户要注意的是必须有效利用其工艺供应商的存储器IP，因为制造工艺要结合专门的存储器结构才能发挥作用。针对非易失性存储要求，东芝公司已经发现，在一个堆叠裸片封装中将SoC和现成的闪存结合在一起可以工作得非常好，而且成本较低。另外，SRAM对于小的、高速的SoC存储器来说是理想选择，而嵌入式沟道型DRAM适合于满足大的存储块需要。
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