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熔浸法仍是目前制备钨铜合金中应用为广泛的方法〔9一’。]。由于钨的熔点高，在一般高温 (lt;1700℃)下烧结收缩小，难以致密化，又因钨粉本身硬度高，成形性差，靠模压难以达到高钨含量所需要的骨架密度。
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钨铜电子封装材料 W-Cu电子封装材料，既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤为可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们采用高纯的原料，经压制成形、高温烧结及熔渗后，得到性能优良的W-Cu电子封装材料及热沉材料。适用于与大功率器件封装的材料，如基片、下电极等；的引线框架；军和民用的热控装置的热控板和散热器等。 优点：具有与不同基体相匹配的热膨胀系数及高的热导率；优良的高温稳定性及均一性；优良的加工性能。
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钨铜主要性能要求是耐电弧烧蚀、抗熔焊、截止电流小、含气量少、热电子发射能力低等。除常规宏观性能要求外，还要求气孔率，微观***性能，故要采取特殊工艺，需真空脱气、真空熔渗等复杂工艺。
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