大的DRAM模块变得更加“友好”的另一个方面是其功耗。从180纳米向130纳米转换时功耗已经得到极大的改善。在130纳米工艺下，一个分页写模式的DRAM功耗只有180纳米工艺下的34%。待机功耗也降到了180纳米下的24%，而停止工作时的功耗只有180纳米下的12%。功耗的减少有助于推动大的嵌入式DRAM在便携式摄像机和手机SoC中的应用。
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检测机构作为质检战线的排头兵，其检验结果是人们衡量产品质量的重要标准，随着社会经济的发展，检验结果科学性、公正性、准确性的社会影响力越来越大，有些检验机构的检验结果已被经济***认可，在我国对外经济贸易中发挥了重要作用，加强对检测机构自身的风险防范工作就显得尤为重要。检测过程的风险是检验全过程风险中的主要风险之一，检测过程的风险主要存在于以下几个方面：超能力范围检验按照《计量法》规定，对社会出具具有证明作用的数据实验室必须经过实验室资质认定(计量认证)和/或CNAS认可，而资质认定和/或CNAS认可是限定实验室能力范围的，实验室只能在能力范围限定的产品(参数)范围内出具带相应标识的检验报告，检验使用的标准不在能力范围者，我们称之为超范围检验。
嵌入式存储器的繁荣完全归功于新的集成工艺技术的成功，开发这些工艺技术的初始阶段就考虑了大存储器。工艺一代比一代更加精良，保证了含有SRAM或DRAM芯片的高成品率。仅仅在这个层面上，就可以预言ASIC厂商能提供具有成本效益的嵌入式存储器。基于这个原因，用户可以预计SRAM和内嵌沟道型DRAM将是未来SoC的流行选择。除了成本的降低，采用这类存储器可以把上市时间和设计风险降到。要得到这些好处，用户要注意的是必须有效利用其工艺供应商的存储器IP，因为制造工艺要结合专门的存储器结构才能发挥作用。针对非易失性存储要求，东芝公司已经发现，在一个堆叠裸片封装中将SoC和现成的闪存结合在一起可以工作得非常好，而且成本较低。另外，SRAM对于小的、高速的SoC存储器来说是理想选择，而嵌入式沟道型DRAM适合于满足大的存储块需要。
Phoenix Contact IBS 24 DI/32 InterBus-S
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Phoenix Contact IBS 24 DO InterBus-S
PHOENIX CONTACT I IBS InterBus IB ST 24 Di 16/4
Ph?nix Contact Interbus IBS ST 24 BK LB-T Interbus-s
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PHOENIX CONTACT I IBS InterBus IB ST 24 Do 16/3
PHOENIX CONTACT InterBus-S IBS AI 3/I
PHOENIX CONTACT InterBus-S IBS 230 DI Ident. 134
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Phoenix Contact Interbus IB IL 24 DO 32/HD-PAC ovp
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Phoenix Contact Interbus S5 DAB
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PHOENIX CONTACT InterBus-S IBS 24 BK-I/O-T Bus Terminal
2719975 Phoenix Interbus Anschaltung IBS S7 300 DSC-T
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PHOENIX CONTACT InterBus-S IBS UTH-K Ident. 207
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PHOENIX CONTACT InterBus-S IBS 24 BK-T Ident. 52
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Phoenix Interbus P***-EG-RS232/RS?422-P/4 K Nr.: 2761266